合肥晶合集成申请嵌入式RRAM结构等相关专利，读写速度比现有技术更快
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2025-06-24 17:11:55
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法”的专利，公开号CN120201728A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明通过改变阻变存储单元的电极板方位，将电极板的板面方向以垂直于半导体衬底面板方向嵌入到其中一层金属层中，然后在两个电极板之间插入阻变层制得阻变存储单元，并以此作为基础制备阻变存储器；改变了现有技术中阻变存储单元的电极板分布方位，意想不到的是：避免了现有技术中插入阻变存储单元后导致两个金属互联层之间现有工艺制程被改变而需重新研发的情况，可以兼容现有技术中MOS制程，也使得阻变式阻变存储器整体紧凑。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性与晶圆厚度方向堆叠的常规技术方案效果没有明显差别，并且读写速度比同等条件下现有技术更快。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目626次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1134条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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