杭州谱析光晶取得高可靠性SiC VDMOSFET结构专利，确保金属源极与漏极之间的电荷导通稳定性
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2025-05-16 20:35:48
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种高可靠性SiC VDMOSFET结构”的专利，授权公告号CN222869299U，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高可靠性SiC VDMOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括沉底层、扩散层、P阱层以及N阱层；所述沉底层与扩散层之间离子注入形成掺杂层，所述掺杂层与扩散层均显弱电荷导通性；所述P阱层包括轻掺杂P阱一、轻掺杂P阱三、重掺杂P阱一、重掺杂P阱二、轻掺杂P阱二、轻掺杂P阱四以及轻掺杂P阱五。本实用新型通过在衬底和外延之间增设N‑掺杂层，由于掺杂层与扩散层均显弱电荷导通性，并且掺杂层的掺杂浓度高于扩散层，这样漏极接入较高的漏电压也不会轻易击穿该半导体，同时也不会阻碍电荷在扩散层的流动，确保金属源极与漏极之间的电荷导通稳定性。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目14次，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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