力晶积成申请沟槽式半导体元件专利，源极接触窗分别连接至重掺杂区以及多个第二导体电极中的第一部分使二者等电位
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2025-07-12 11:10:05
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“沟槽式半导体元件”的专利，公开号CN120302680A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明公开一种沟槽式半导体元件，包括：基底、多个第一导体电极、多个第二导体电极、多个重掺杂区以及多个源极接触窗。基底具有多个沟槽，第一导体电极设置于各沟槽的底部，第二导体电极则设置于第一导体电极上方的各沟槽内。重掺杂区设置于沟槽之间的基底的表面。源极接触窗分别连接至重掺杂区以及上述多个第二导体电极中的第一部分，使前述第一部分与重掺杂区等电位。
来源：金融界
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