田村制作所等申请结势垒肖特基二极管及其制造方法专利，提供一种结势垒肖特基二极管
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2025-07-19 11:38:24
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，株式会社田村制作所、诺维晶科股份有限公司申请一项名为“结势垒肖特基二极管及其制造方法”的专利，公开号CN120345360A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，提供一种结势垒肖特基二极管(1)，其具备：n型半导体层(11)，其具有多个沟槽(111)；多个p型半导体部(12)，其设置为与多个沟槽(111)各自的内表面相接；以及阳极电极(13)，其设置为与n型半导体层(11)的台面形状部(112)接触，多个p型半导体部(12)各自具有：第1部分(121)，其覆盖沟槽(111)的内表面；以及第2部分(122)，其覆盖n型半导体层(11)的第1面(113)中的沟槽(111)的开口部的边缘。
来源：金融界
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