浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体晶体管开关速度
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2025-07-28 20:39:05
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120379292A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成具有第一源极凹槽的第一源极层；在所述第一源极层上形成第一沟道层，形成环绕覆盖所述第一沟道层内侧壁的第一栅介质层，形成覆盖所述第一栅介质层的第一栅结构层；在所述第一沟道层上依次形成堆叠的第一漏极层、间隔层和第二源极层；在所述第二源极层上形成第二沟道层，形成环绕覆盖所述第二沟道层内侧壁的第二栅介质层，形成覆盖所述第二栅介质层的第二栅结构层；在所述第二沟道层上形成第二漏极层。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息345条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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