长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，降低栅诱导漏极泄漏电流(GIDL)
创始人
2025-07-29 16:10:57
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120390403A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，位于衬底上的位线，位线沿第二方向延伸；有源层，位于位线沿第一方向的一侧，有源层包括沿第一方向排布的源极区、沟道区和漏极区；字线，沿第三方向延伸，且与有源层沿第三方向延伸的部分侧壁正对；电容结构，与有源层的漏极区电性连接；其中，沟道区包括沿第一方向相对的第一端和第二端，沿第二方向，第一端的宽度为D1，第二端的宽度为D2，且D2>D1。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1080次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息460条，此外企业还拥有行政许可34个。

来源：金融界

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