金融界2025年8月1日消息,国家知识产权局信息显示,深圳全芯微半导体有限公司申请一项名为“一种低导通电阻与电磁优化的碳化硅MOSFET”的专利,公开号CN120417437A,申请日期为2025年04月。
专利摘要显示,本发明涉及半导体领域,尤其是涉及一种低导通电阻与电磁优化的碳化硅MOSFET,本发明在肖特基势垒二极管侧的结型场效应管区设高导区,降低导通电阻,提升电流密度均匀性,肖特基势垒二极管金属与源极金属电极以导流斜面连接,增大接触面积,降低接触电阻,抑制热失效,结型场效应管区集成接地金属屏蔽层,降低栅源寄生电容,减少电感耦合,提升高频稳定性,源沟槽与结型场效应管区、外延层间设P型屏蔽掺杂层,与金属屏蔽层双重隔离,降低电磁干扰。高导区、导流斜面和P型屏蔽掺杂层协同,降低短路电阻增幅,提升短路耐受时间,避免热击穿风险。
天眼查资料显示,深圳全芯微半导体有限公司,成立于2021年,位于深圳市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2137.37万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳全芯微半导体有限公司共对外投资了8家企业,财产线索方面有商标信息1条,专利信息2条,此外企业还拥有行政许可4个。
来源:金融界