广东天域半导体申请改善外延坑缺陷的碳化硅外延晶片生长方法专利，有效提高碳化硅外延晶片的质量
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2025-08-02 00:05:43
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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，广东天域半导体股份有限公司申请一项名为“改善外延坑缺陷的碳化硅外延晶片生长方法”的专利，公开号CN120401011A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改善外延坑缺陷的碳化硅外延晶片生长方法，首先向反应室通入氢气并将反应室的温度升高至缓冲层生长温度，然后以第一流量和第二流量向反应室通入乙烯和三氯氢硅，以生长得到第一缓冲层，其次以第三流量和第四流量向反应室通入乙烯和三氯氢硅，以生长得到第二缓冲层，接着，将反应室的温度降低至小于缓冲层生长温度的外延层生长温度，最后以第五流量和第六流量向反应室通入乙烯和三氯氢硅，以生长得到外延层，将外延层生长温度降低至小于缓冲层生长温度的温度来进行外延层的生长，能够抑制外延生长得到的外延晶片表面的外延坑的数量，有效地提高碳化硅外延晶片的质量。
天眼查资料显示，广东天域半导体股份有限公司，成立于2009年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本36319.8011万人民币。通过天眼查大数据分析，广东天域半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目121次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可64个。
来源：金融界
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