源杰科技获得发明专利授权：“一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构”_行业新闻

源杰科技获得发明专利授权：“一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构”

创始人

2025-08-02 03:38:45

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示源杰科技（688498）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构”，专利申请号为CN202510615586.0，授权日为2025年8月1日。

专利摘要：本发明公开了一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构，属于半导体光电子技术领域，能够解决现有半导体激光器无法实现实时功率监测的问题。所述半导体激光器结构包括：衬底；双异质结结构，形成在衬底上；P型盖层，形成在双异质结结构上，其上表面设置有电隔离沟道，电隔离沟道将P型盖层的顶部分隔成多个凸起区；欧姆接触层，形成在P型盖层上，其包括多个欧姆接触区，欧姆接触区与凸起区一一对应；N面电极，设置在衬底远离双异质结结构的一侧表面；P面电极，设置在欧姆接触层上，其包括多个子电极，子电极与欧姆接触区一一对应；其中一个子电极上加载正向电压，其余子电极上加载反向电压。本发明用于半导体激光器结构。

今年以来源杰科技新获得专利授权4个。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了5451.76万元，同比增76.17%。

通过天眼查大数据分析，陕西源杰半导体科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次；财产线索方面有商标信息15条，专利信息36条，著作权信息5条；此外企业还拥有行政许可7个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

科技激光器电极半导体集成耦合接触区结构专利二极管欧姆盖层欧姆接触区半导体激光器

上一篇：新莱应材股价31.88元，半导体设备业务覆盖产业链上下游

下一篇：圣邦股份获得发明专利授权：“斜坡产生电路”

源杰科技获得发明专利授权：“一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构”

相关内容

热门资讯