意法半导体申请具有针对静摩擦现象的高鲁棒性的MEMS传感器专利，减少施加在可移动质量块上的静电力
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2025-08-02 13:40:49
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有针对静摩擦现象的高鲁棒性的MEMS传感器”的专利，公开号CN120405180A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本公开涉及具有针对静摩擦现象的高鲁棒性的MEMS传感器。MEMS传感器被配置为测量物理量并且具有衬底和可移动质量块，可移动质量块被悬置在沿方向距衬底一定距离处，并且被耦合到衬底。MEMS传感器还具有：接触感测结构，被耦合到衬底，并且在静止时在沿感测方向距可移动质量块一定距离处延伸；以及至少一个定子电极，被耦合到衬底并且被配置为利用可移动质量块形成具有根据可移动质量块的移动而可变的电容的至少一个电容器。控制电路被配置为：感应可移动质量块与定子电极之间的电压差；感测可移动质量块与接触感测结构之间的接触；以及响应于感测到可移动质量块与接触感测结构之间的接触，修改所感应的电压差，以减少施加在可移动质量块上的静电力。
来源：金融界
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