前言

氮化镓功率器件的应用场景相当广泛，主要可以分为高压和低压两种类型。高压氮化镓主要应用于市电供电的开关电源初级，为次级提供稳定的直流电压供应。而低压氮化镓则更多地应用在快充次级、车充、以及手机电荷泵等场景上。若PD快充次级侧替换传统硅MOS器件，可进一步降低次级同步整流损耗下降，且低压氮化镓开关频率高，可降低磁性元件尺寸，实现极致轻薄设计。

充电头网了解到，安世半导体推出多款低压氮化镓功率器件，其采用WLCSP、VQFN、LGA三类小体积封装，适合各类空间紧凑的电源产品应用。

安世半导体低压氮化镓

文中出现的低压氮化镓如上表所示，详细参数请见下文。

40V低压氮化镓

安世GANB012-040CBA

安世GANB012-040CBA是一颗耐压40V，导阻12mΩ常关型增强模式器件氮化镓器件，使用WLCSP封装。

该器件属于是一种双向器件，具有超高开关速度能力，具有超低导阻，符合RoHS、无铅、REACH标准，适合追求高效率和高功率密度场景应用。

安世GANB1R2-040QBA

安世GANB1R2-040QBA是一颗耐压40V，导阻1.2mΩ常关型增强模式器件氮化镓器件，使用超薄无引脚VQFN封装。

该器件属于是一种双向器件，具有超高开关速度能力，具有超低导阻，符合RoHS、无铅、REACH标准，适合追求高效率和高功率密度场景应用。

安世GANB4R8-040CBA

安世GANB4R8-040CBA是一颗耐压40V，导阻4.8mΩ常关型增强模式器件氮化镓器件，使用WLCSP封装。

该器件属于是一种双向器件，具有超高开关速度能力，具有超低导阻，符合RoHS、无铅、REACH标准，适合追求高效率和高功率密度场景应用。

安世GANB8R0-040CBA

安世GANB8R0-040CBA是一颗耐压40V，导阻8mΩ常关型增强模式器件氮化镓器件，使用WLCSP封装。

该器件属于是一种双向器件，具有超高开关速度能力，具有超低导阻，符合RoHS、无铅、REACH标准，适合追求高效率和高功率密度场景应用。

上述多款40V低压氮化镓适合高侧负载开关，智能手机USB端口的过压保护，功率开关电路

以及待机电源系统等场景应用。

安世100~150V低压氮化镓

安世GANE7R0-100CBA

安世GANE7R0-100CBA是一颗耐压100V，导阻7mΩ常关型增强模式器件氮化镓器件，使用WLCSP封装。

GANE7R0-100CBA具备高频开关、低栅极电荷、低输出电荷特性，无体二极管，符合RoHS以及REACH标准。

安世GANE2R7-100CBA

安世GANE2R7-100CBA是一颗耐压100V，导阻2.7mΩ常关型增强模式器件氮化镓器件，使用WLCSP封装。

GANE2R7-100CBA具备高频开关、低栅极电荷、低输出电荷特性，无体二极管，符合RoHS以及REACH标准。

安世GAN3R2-100CBE

安世GAN3R2-100CBE是一颗耐压100V，导阻3.2mΩ的常关型增强模式器件氮化镓器件，使用WLCSP封装。

GAN3R2-100CBE具备高频开关、低栅极电荷、低输出电荷特性，无体二极管，内置ESD保护，符合RoHS以及REACH标准。

安世GANE1R8-100QBA

安世GANE1R8-100QBA是一颗耐压100V，导阻1.8mΩ的常关型增强模式器件氮化镓器件，使用无引脚超薄VQFN封装。

GANE1R8-100QBA具备高频开关、低栅极电荷、低输出电荷特性，无体二极管，符合RoHS以及REACH标准。

安世GAN7R0-150LBE

安世GAN7R0-150LBE是一颗耐压150V，导阻7mΩ的常关型增强模式器件氮化镓器件，使用LGA封装。

GAN7R0-150LBE具备高频开关、低栅极电荷、低输出电荷特性，无体二极管，内置ESD保护，符合RoHS以及REACH标准。

而在实际应用领域，上述100V~150V耐压器件适用于高功率密度与高效能电源转换、次级同步同步整流、48V系统高频DC-DC转换器、快充领域、通信领域电源、电机驱动、非汽车应用领域的激光雷达以及D类音频放大器等多种场景，泛用性较强。

充电头网总结

安世半导体新推出的低压氮化镓功率器件，该器件高频开关、低栅极电荷、低输出电荷等特性，使其在高功率密度与高效能电源转换领域展现移动实力。相较于传统低压硅MOS，上述器件在效率层面表现更优，能有效提升电路转换效率、减小产品体积，为快充次级、车充、手机电荷泵、通信电源转换、电机驱动、电路保护等低压应用带来更优质的选择，有力推动了电源技术向小型化、高效化与高性能方向发展。