普冉半导体取得金属层间通孔形成方法专利
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2025-08-05 18:09:40
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司取得一项名为“金属层间通孔形成方法”的专利，授权公告号CN114496911B，申请日期为2022年01月。
天眼查资料显示，普冉半导体（上海）股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10560.9735万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息185条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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