欧拉半导体申请一种MOS管及其通过降低耐压使内阻降低的方法专利，使MOS管在工作过程中能够更稳定地运行
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2025-08-16 18:14:51
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金融界2025年8月14日消息，国家知识产权局信息显示，深圳欧拉半导体有限公司申请一项名为“一种MOS管及其通过降低耐压使内阻降低的方法”的专利，公开号CN120475737A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种MOS管及其通过降低耐压使内阻降低的方法，包括P型衬底、N-外延层、N+源区、N+漏区、栅氧化层和多晶硅栅极，该MOS管结构清晰地划分了各个部分，P型衬底、N-外延层、N+源区、N+漏区、栅氧化层和多晶硅栅极各自承担着明确的功能，N-外延层作为低掺杂区域，在MOS管关断时能够承受反向电压，为实现高耐压提供了基础保障，N+源区和N+漏区作为高掺杂区域，构成导电通道，有利于电流的传导，这种明确的功能分区使得MOS管在工作过程中能够更稳定地运行，相比一些结构设计模糊的MOS管，更易于理解和优化其性能。
天眼查资料显示，深圳欧拉半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳欧拉半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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