华虹半导体申请半导体器件制备方法专利 提高器件良率
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2025-08-18 18:43:47
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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN120497199A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的制备方法，在形成浮栅多晶硅材料层之后，浅沟槽隔离结构顶端的浮栅多晶硅材料层构成凸起，随后在浮栅多晶硅材料层上形成研磨辅助层，接着研磨去除凸起和覆盖凸起的研磨辅助层，以平坦化所述浮栅多晶硅材料层，其中，在研磨工艺之后，位于凸起之间并且位于有源区上方的浮栅多晶硅材料层仍然被研磨辅助层覆盖，不会被研磨到。本申请通过在浮栅多晶硅材料层上形成研磨辅助层，使得研磨平坦化浮栅多晶硅材料层的过程中，既能保证浮栅多晶硅材料层表面磨平，又能不研磨(接触)有源区上方的浮栅多晶硅材料层，提高了浮栅多晶硅材料层在CMP工艺中的厚度稳定性，提高了器件良率。
来源：金融界
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