南亚科技申请具有凹陷栅极和互连器结构的半导体元件专利，提供一种半导体元件
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2025-08-19 15:18:02
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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有凹陷栅极和互连器结构的半导体元件”的专利，公开号CN120512886A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底，具有一主动区；一凹陷栅极结构，设置在该基底中并与该主动区相交；一导电柱，设置在该基底上方并电性连接到该主动区；一着陆垫，设置在该导电柱上并电性连接到该导电柱；以及一介电层堆叠，设置在该基底上方并横向围绕该导电柱和该着陆垫。该半导体元件还包括一接触结构，设置在该基底和该导电柱之间；一电容器插塞，设置在该着陆垫上并电性连接到该着陆垫；以及多个介电层的一堆叠，设置在该电容器插塞上并电性连接到该电容器插塞。
来源：金融界
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