长鑫集电申请一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法专利，能提供一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法_行业新闻

长鑫集电申请一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法专利，能提供一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法

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2025-08-19 17:44:04

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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司申请一项名为“一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN120507939A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种掩膜版图形、掩膜版结构及半导体结构的制备方法，其中，掩膜版图形包括主图形阵列和预设图形阵列，主图形阵列包括多个沿第一方向和第二方向排布的主图形，主图形阵列至少包括位于主图形阵列的边缘的第一图形阵列，第一图形阵列包括分别位于主图形阵列最外侧和次外侧的基准主图形和次基准主图形。预设图形阵列位于第一图形阵列的至少一侧且包含多个预设图形，在预设方向上，预设图形的尺寸小于基准主图形的尺寸，第一节距小于第二节距；其中，预设方向包括第一方向和第二方向中的至少一者，且在预设方向上，预设图形阵列与第一图形阵列之间的间距小于同一方向上的第二节距。

天眼查资料显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4481039.58万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫集电（北京）存储技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目140次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息41条，此外企业还拥有行政许可1242个。

来源：金融界

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