21世纪经济报道记者 赵娜 报道

在半导体产业链中，缺陷检测是一道关键“生命线”。

晶圆一旦存在微小缺陷，可能导致芯片失效，进而影响新能源汽车动力系统或5G基站稳定性。长期以来，行业主要依赖化学腐蚀法进行检测，不仅破坏晶圆，还效率低、成本高昂。而随着碳化硅（SiC）等第三代半导体材料快速崛起，市场对高效、无损检测设备的需求日益迫切。

然而，国内90%以上的检测设备依赖进口，关键技术长期被国际巨头垄断。

总部位于大连的泛半导体缺陷检测创新企业创锐光谱正打破这一局面——不久前，这家企业向海外客户正式交付了一套设备，成为国内高端半导体检测设备少有的出口案例。

创锐光谱成立于2016年，公司基于自主技术深耕科学仪器和半导体材料检测两大应用领域，已实现从基础研究到工业生产的全产业链赋能。公司主营产品打破进口垄断格局，已覆盖国内外科研机构和半导体材料企业。

技术破局：实现“无损检测”

2023年3月，创锐光谱SiC晶圆质量大面积成像系统SiC-MAPPING532（以下简称S-532）达到持续稳定运行标准，正式下线发运行业知名客户。S-532为国际首台套基于瞬态光谱技术的第三代半导体缺陷检测设备，不仅实现了相关技术的全自主国产化替代，在各种技术指标上也全面超越进口同类产品。

创锐光谱通过瞬态光谱技术检测碳化硅材料的位错缺陷，能精准识别TSD、TED、BPD等多类复杂缺陷。与传统方法相比，创锐光谱基于新型检测工艺可在10分钟左右完成整片晶圆的全片扫描，生成缺陷分布图，并以非接触光学手段实现无损检测。

“无损检测是我们的杀手锏。从有损到无损，这是一个跨越式的突破。”据创锐光谱董事长、创始人金盛烨估算，通过这套系统的应用，衬底和外延片环节的良率起码可以提升5%-10%。同时，设备内置AI算法，可对上万个缺陷进行自动分类识别，将检测精度提升至99%以上。

光速光合执行董事郭斌补充分析表示，公司团队突破了传统光学检测的能力边界，在全球范围内首次解决碳化硅衬底位错无损检测的难题，构建了深厚的行业壁垒。创锐光谱的检测系统不仅能降低行业每年数亿元的损失，更重要的是推动检测环节由抽检迈向“片片全检”，显著提升下游芯片厂商的质量管控能力。

凭借前述技术突破，创锐光谱成功进入国内碳化硅产业链的头部客户体系，并在今年实现海外交付，成为少数出口高端检测设备的本土企业之一。

资本认可：硬科技壁垒凸显

2024年底，创锐光谱宣布完成近亿元Pre-A轮融资。在该轮融资领投方光速光合看来，创锐光谱提供的检测手段和解决方案，在全行业都是独一无二的创新，构建了极深的行业壁垒。

光速光合合伙人朱嘉指出，中国半导体产业正处于快速成长阶段，检测设备将迎来广阔市场空间。创锐光谱依托本土研发与科研积累，已实现从科研向工业检测的转型，并达到国际领先水平。

不仅如此，创锐光谱将瞬态光谱检测技术的技术应用延伸至碳化硅功率器件、钙钛矿光伏组件、Micro LED显示面板等高端制造领域，尤其是在全球范围内首次解决了碳化硅衬底位错缺陷无损检测的世界性难题。

目前，公司在大连、杭州、南京设有研发团队，研发方向覆盖科研仪器、工业检测、激光器与探测器。“我们一只眼睛盯着国际同行，保持对行业触角的灵敏；另一只眼睛则盯着客户，瞄准头部客户的需求来做布局。”金盛烨表示。

值得注意的是，创锐光谱还在与国内头部客户合作推动国标制定，比如碳化硅外延片的载流子寿命测试，预计2026年完成。

全国标准信息公共平台披露的信息显示，国家标准计划《碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法》已处于“正在起草”阶段，主要起草单位包括广东天域半导体股份有限公司、大连创锐光谱科技有限公司、北京大学东莞光电研究院、南京国盛电子有限公司。

金盛烨透露，团队将公司定位为全栈式先进光谱检测技术企业，通过更尖端的科研仪器做全布局的开发，希望能覆盖所有化合物半导体的检测。他们不但要将设备销往全球市场，还希望未来能推动检测标准，让中国企业在国际上拥有行业话语权。