艾普诺瓦泰克申请形成集成电路的方法专利，可形成包含硅基器件与氮化镓器件的集成电路
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2025-11-25 13:06:59
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国家知识产权局信息显示，艾普诺瓦泰克公司申请一项名为“形成集成电路的方法”的专利，公开号CN 121001394 A，申请日期为2021年2月。专利摘要显示，本公开涉及形成集成电路的方法。具体地，提供了一种用于形成包括硅基器件和基于氮化镓的器件的集成电路的方法，所述方法包括：提供覆盖有氮化镓层结构的硅衬底；从所述氮化镓层结构中刻蚀出氮化镓结构；在所述硅衬底中形成硅基器件；在所述氮化镓结构中形成基于氮化镓的器件；以及形成金属层、通孔和互连，以将所述硅基器件与所述基于氮化镓的器件相连接。
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