珠海泰为申请芯片金属层填充相关专利，缩短芯片设计周期
创始人
2025-11-26 12:07:53
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国家知识产权局信息显示，珠海泰为电子有限公司申请一项名为“芯片金属层的填充方法、装置、存储介质及计算机设备”的专利，公开号CN 121009842 A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种芯片金属层的填充方法、装置、存储介质及计算机设备，涉及芯片设计领域。本申请先对芯片开展静态时序分析，判断其是否满足预设时序要求。若满足，则进行设计规则检查并获取金属层密度分布数据，据此识别出密度不达标的目标区域。接着，依据预设局部优化规则，计算虚拟金属dummy metal的形状与大小，并在目标区域填充。填充后再次检测时序，若仍满足要求，便输出芯片版图；若不满足，则重新依据规则计算并填充dummy metal，直至时序达标。本技术方案通过局部优化填充替代传统全局填充，精准处理密度不足区域有效控制寄生电容引入避免全芯片重新STA分析缩短设计周期，提升芯片制造良率与性能。
天眼查资料显示，珠海泰为电子有限公司，成立于2019年，位于珠海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本648.0212万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海泰为电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可36个。
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来源：市场资讯
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