苏纳光电申请沟槽电容电极结构及沟槽电容专利，极大程度提高了沟槽电容容值密度
创始人
2025-11-27 11:17:50
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国家知识产权局信息显示，苏州苏纳光电有限公司申请一项名为“沟槽电容电极结构及沟槽电容”的专利，公开号CN 121013392 A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容，通过环形嵌套设置的第一基元构成具有多重旋转对称性的基元单元，并在基底第一表面上高密度排列，配合同样呈现高密度排列的、用于后期工艺中金属互联的第一互联区域的设计，极大程度提高了沟槽电容容值密度的同时，有效增加了电极表面积并优化了电场分布，提升了器件的高频特性，显著提升了器件的电学性能，提高了器件的结构稳定性。
天眼查资料显示，苏州苏纳光电有限公司，成立于2014年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本626.9992万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州苏纳光电有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息173条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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