京东方华灿光电申请发光二极管芯片及其制作方法专利，改善发光二极管芯片的出光效率
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2026-05-08 22:27:25
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管芯片及其制作方法”的专利，公开号CN122002976A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括外延层、透明导电层、第一电极和第二电极；所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层、以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层；所述透明导电层位于所述第二半导体层之上，且直接接触于所述第二半导体层；所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二电极与所述透明导电层连接；所述透明导电层中具有多个间隔排布的第一通孔，所述多个第一通孔在所述第二半导体层的一个表面上的正投影与所述第二电极在所述第二半导体层的所述表面上的正投影不重叠。本公开可以改善发光二极管芯片的出光效率。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可42个。
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来源：市场资讯
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