国家知识产权局信息显示,南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种MOCVD设备及其电阻丝加热器”的专利,公开号CN122235682A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本发明涉及一种MOCVD设备及其电阻丝加热器。该电阻丝加热器包括:加热炉丝,其为双丝并绕结构且在平面布局上由圆心不同的两组同心圆弧段交替对接构成;设置在加热炉丝下方的多层反射板、负电极板、隔板和正电极板;多个炉脚,每个炉脚的上部设有螺旋配合结构,加热炉丝通过螺旋配合结构与炉脚可拆卸地连接,多个炉脚将加热炉丝分别连接至正电极板和负电极板;多个加热炉丝支架,其支撑加热炉丝,外侧套接有支架绝缘套件,两者依次穿过多层反射板、负电极板、隔板并支撑于正电极板上,且支架绝缘套件的顶端高于多层反射板的顶面。此外,该MOCVD设备包括上述电阻丝加热器。本发明可以提高电阻丝加热器的使用寿命、加热均匀性等性能。
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来源:市场资讯