锐成芯微申请110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法专利，制备方法简单便捷、成本低
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2025-06-02 20:34:37
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，成都锐成芯微科技股份有限公司申请一项名为“110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法”的专利，公开号CN120076325A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，一种110nm以下的嵌入式闪存及其制备方法，所述110nm以下的嵌入式闪存包括：一个衬底，以及衬底上的存储阵列区和外围逻辑区，所述存储阵列区中包含至少一个存储单元，所述存储单元包含：一个位于衬底中的公用源极，一条位于公用源极上方且与之相连的公用线；一对叠置栅极，分别位于公用线两侧，每个叠置栅极包括浮置栅极及其上方垂直叠置的控制栅极；一对选择栅极，分别位于两个叠置栅极的非公用线侧的旁边；所述外围逻辑区中包含至少一个逻辑晶体管，逻辑晶体管包含逻辑栅极；其中所述存储单元中的控制栅极与逻辑晶体管的逻辑栅极的高度相同。该嵌入式闪存的性能好且稳定，可靠性好，而且制备方法简单便捷、成本低。
来源：金融界
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