杭州力芯存储科技申请DLL模块的电压监测电路和DRAM专利，实现在DRAM读写错误时根据DLL模块工作电压区间确定是否因电压低导致读写出错
创始人
2025-06-10 10:34:59
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，杭州力芯存储科技有限公司申请一项名为“DLL模块的电压监测电路和DRAM”的专利，公开号CN120126533A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供的DLL模块的电压监测电路和DRAM，包括：分压模块、电压采样模块和比较模块；分压模块，被配置为将基准带隙电压进行分压后生成N个不同的基准电压；电压采样模块，被配置为采集DLL模块的工作电压；比较模块，被配置为比较N个不同的基准电压与工作电压的关系，生成电平信号，以根据电平信号确定DLL模块的工作电压所属的电压区间。实现在DRAM读写错误时，根据DLL模块在工作状态时工作电压所处的电压区间，确定是否是因为DLL模块的工作电压过低而导致的DRAM读写出错。
天眼查资料显示，杭州力芯存储科技有限公司，成立于2024年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州力芯存储科技有限公司。
来源：金融界
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