纳微半导体申请大功率射频电源用PCB耦合巴伦专利，突破传统同轴巴伦低频性能瓶颈
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2025-07-14 14:09:52
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金融界2025年7月14日消息，国家知识产权局信息显示，纳微半导体科技（合肥）有限公司申请一项名为“一种大功率射频电源用PCB耦合巴伦”的专利，公开号CN120301387A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种大功率射频电源用PCB耦合巴伦，包括：第一端、第二端、第三端、第四端、第五端；第一端、第二端为输入端，第三端为输出端，第四端为接地端，第五端为直流供电端，第一端与传输线圈的一端电性连接，第二端与传输线圈的另一端电性连接，第一端和第二端用于接收差分射频信号，第三端与耦合线圈的一端电性连接，第三端用于输出单端射频信号，第四端与耦合线圈的末端共地连接，第五端通过传输线圈的中心抽头与功率放大器漏极连接，第五端用于为功率放大器漏极提供直流偏置，第三端与第四端之间并联补偿电容，在耦合线圈的输出路径串联补偿电感。
天眼查资料显示，纳微半导体科技（合肥）有限公司，成立于2023年，位于合肥市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，纳微半导体科技（合肥）有限公司专利信息4条。
来源：金融界
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