浙江创芯申请半导体结构的形成方法专利，提高器件的耐压性能
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2025-07-16 13:09:39
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120321997A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括场板区和非场板区；在所述衬底表面形成场氧材料层；在部分所述场氧材料层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层位于所述场板区上；以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述非场板区上的所述场氧材料层，直到所述非场板区上的所述场氧材料层达到预设厚度；继续以所述光刻胶层为掩膜，采用第一湿法刻蚀工艺刻蚀所述非场板区上的所述场氧材料层，直到暴露出所述衬底表面，以所述场板区上的所述场氧材料层为场板；在所述第一湿法刻蚀工艺之后，去除所述光刻胶层，利于提高形成的所述场板的形貌和厚度均匀性，进而提高器件的耐压性能。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息333条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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