安海半导体取得降低输入输出电容的沟槽型碳化硅MOSFET结构及制作方法专利
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2025-08-20 17:36:41
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金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，合肥安海半导体股份有限公司取得一项名为“沟槽型碳化硅MOSFET结构及其制作方法”的专利，授权公告号CN115513280B，申请日期为2022年10月。
天眼查资料显示，合肥安海半导体股份有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3943.4542万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥安海半导体股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可11个。
来源：金融界
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