01早期发现阶段

1873 年：弗雷德里克・格思里发现加热的金属阴极有单向导电特性，表现为加热接地金属盘时，旁边带正电的验电器会失电，带负电的则不会。

1880 年：爱迪生也发现类似现象（后称 “爱迪生效应”），当时未知晓格思里的研究。

02真空二极管发明

• 1904 年：英国物理学家弗莱明依据 “爱迪生效应”，发明世界第一只电子二极管（真空电子二极管）并在英国申请专利；其靠阴极热发射电子到阳极导通，正负极接反不导电，但存在体积大、需预热、功耗大、易破碎的问题。

1874 年：卡尔・布劳恩发现部分金属硫化物（半导体）与金属接触后有单向导通特性，制成首个固态半导体检波器，为肖特基二极管雏形。

1940 年：贝尔实验室科学家通过调控半导体掺杂杂质类型与浓度、选合适费米能级的金属材料，制备出性能更优的肖特基二极管、pn 结二极管。

1947 年：贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿在半导体二极管中增加一个电极，形成集电极、基极、发射极三极结构，制成首个半导体晶体管；该发明为现代半导体电子技术奠基，也推动二极管技术进一步发展。

20 世纪 80 年代后：随半导体器件制作工艺进步，肖特基势垒二极管逐步走向成熟。

2007 年：中国科学院物理研究所胡江平与香港科技大学戴希等，理论上提出利用电子、空穴掺杂超导体构造约瑟夫森结，实现超导二极管效应(即约瑟夫森二极管)。

2022 年：中国科学院金属研究所科研人员提出光控二极管，通过异质结设计与构筑，使器件获得新型光电整流特性。

深圳世昌隆电子有限公司

深圳世昌隆电子有限公司是香港GAINMORE电子在深圳注册成立的一家专业从事世界知名品牌电子元器件代理销售及相关技术支持于一体的专业公司，具有独立的进出口权。

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7、台湾Alfa-MOS 闸能：极小封装MOS管/电源管理IC；

8、台湾JNC 嘉耐：Y电容/压敏电阻；

9、STE 松田：薄膜电容/X电容/Y电容/压敏电阻/热敏电阻；

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