安东聚变申请薄膜电容器及其制造方法专利，解决薄膜表面过度光滑、存在空洞和电弱点的问题
创始人
2025-12-08 13:07:03
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国家知识产权局信息显示，安东聚变（太仓）科技有限公司申请一项名为“薄膜电容器及其制造方法”的专利，公开号CN121075815A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种薄膜电容器及其制造方法，该薄膜电容器包括电容器芯子，电容器芯子包括第一电极材料层、第一介质材料层、第二电极材料层，其中第一介质材料层设于第一电极材料层和第二电极材料层之间，包括多层介质材料薄膜，薄膜的厚度为7～20μm，表面粗糙度RMS≥1μm，相邻的介质材料薄膜之间、介质材料薄膜与第一电极材料层和第二电极材料层之间设有绝缘介质材料。以多层表面粗化薄膜作为电介质材料、金属箔作为电极材料，层间设置绝缘介质材料，解决了薄膜表面过度光滑、存在空洞和电弱点的问题。
天眼查资料显示，安东聚变（太仓）科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，安东聚变（太仓）科技有限公司专利信息1条。
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