艾迈斯-欧司朗申请包括多层薄膜光耦出结构的μLED专利，该光电器件包括布置在发光表面上方或发光表面上的光耦出结构
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2026-04-04 19:20:54
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国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“包括多层薄膜光耦出结构的μLED”的专利，公开号CN121795116A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及光电器件、特别是µLED，该光电器件包括至少第一导电类型的第一层、第二导电类型的第二层以及在第一层与第二层之间的有源区的半导体层堆叠，其中，该半导体层堆叠包括底表面以及与底表面相对的发光表面。该光电器件还包括布置在发光表面上方或发光表面上的光耦出结构，该光耦出结构包括至少第一层、第二层和第三层，其中：第一层、第二层和第三层中的至少两层包括具有不同折射率的材料；第一层、第二层和第三层包括小于当施加有相应电流时在半导体层堆叠内产生的光的波长的厚度；并且第一层、第二层和第三层中的至少两层包括不同的厚度。
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