京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，提升发光二极管的亮度
创始人
2026-05-06 11:32:03
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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121985643A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的n型半导体层、多量子阱层和p型半导体层；所述多量子阱层包括至少一个超晶格结构和至少两个第一结构，所述超晶格结构的每一侧具有一个所述第一结构；每个所述第一结构包括至少一个量子阱层和至少一个量子垒层，在所述第一结构中，所述量子阱层和所述量子垒层交替层叠；所述超晶格结构包括多个第一子层和多个第二子层，所述第一子层和第二子层交替层叠，所述第一子层和所述第二子层的禁带宽度不同。本公开可以提升发光二极管的亮度。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目100次，专利信息613条，此外企业还拥有行政许可50个。
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