长鑫科技申请半导体器件和半导体器件的制备方法专利，提高三维存储器的密度和性能
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2026-05-22 09:29:31
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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN122073795A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括字线，字线在沿垂直于衬底的方向上延伸，多个沟道层，多个沟道层环绕字线，在俯视图中具有环绕所述字线的环形水平截面，多条位线，多条位线沿第一方向设置在多个沟道层中的每个的一端处，多个电容器，多个电容器沿第一方向设置在多个沟道层中的每个的另一端处，在俯视图中具有环形水平截面，多个电容器在沿垂直于衬底的方向上彼此隔开，多个保护层，多个保护层设置在沿垂直于衬底方向相邻的两个电容器之间，且位于所述多个电容器沿第一方向靠近所述多个沟道层的一端处，可以避免制备电容器工艺的热预算对沟道层的影响，提高三维存储器的密度和性能。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息285条，专利信息667条，此外企业还拥有行政许可39个。
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来源：市场资讯
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