成都新紫光半导体申请制备MOS器件专利，具有较小的闪烁噪声
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2026-05-22 20:23:44
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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备MOS器件的方法和制备出的MOS器件及其应用”的专利，公开号CN122073820A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及制备MOS器件的方法和制备出的MOS器件及其应用，该方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成栅极氧化层，然后在所述栅极氧化层上形成多晶硅层；S2、在所述栅极氧化层两侧的衬底内分别形成源极和漏极，得到第一器件；S3、对所述第一器件进行第一离子注入，注入离子为氟，得到第二器件；S4、对所述第二器件进行第一退火处理。采用本公开的方法制备出的MOS器件具有较小的闪烁噪声。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息106条。
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来源：市场资讯
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