意法半导体取得形成基于3C-SiC的电子器件专利
创始人
2026-05-26 14:13:21
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国家知识产权局信息显示，意法半导体股份有限公司取得一项名为“形成基于3C－SiC的电子器件以及3C－SiC电子器件”的专利，授权公告号CN116779659B，申请日期为2023年3月。

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来源：市场资讯

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