武汉楚兴技术申请半导体结构及其制备方法和图像传感器专利，提高使用该半导体结构的图像传感器的图像质量
创始人
2026-05-27 00:37:48
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国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法和图像传感器”的专利，公开号CN122094210A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法和图像传感器，涉及图像传感器技术领域，旨在提高使用该半导体结构的图像传感器的图像质量。半导体结构包括：衬底、沟道结构、浮置扩散结构、栅极层和栅介质层；衬底中设有光电转换区；沟道结构沿衬底的厚度方向设置于光电转换区上；浮置扩散结构设置于沟道结构远离衬底的一侧；栅极层至少部分设于沟道结构的侧壁；栅介质层设于栅极层和沟道结构之间。上述图像传感器用于捕捉和转换图像信息。
天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息128条，此外企业还拥有行政许可322个。
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来源：市场资讯
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