甬矽电子取得芯片空腔封装结构专利，可防止芯片之间的信号干扰
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2026-05-28 17:29:53
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国家知识产权局信息显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司取得一项名为“芯片空腔封装结构”的专利，授权公告号CN224289761U，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请提供的一种芯片空腔封装结构，涉及半导体技术领域。该芯片空腔封装结构包括基板、芯片、膜层和塑封体。芯片贴装至基板上，芯片和基板电连接。膜层覆盖芯片，且膜层将芯片和基板之间的间隙形成密封空腔。塑封体包覆芯片和膜层；塑封体上开设有凹槽，凹槽内设有金属柱。金属柱形成的垂直隔离结构对垂直传播的声波具有优异的阻断效果，可防止芯片之间的信号干扰，且具有良好的散热特性。
天眼查资料显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司，成立于2017年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41048.303万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息456条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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