爱思开海力士申请半导体存储器装置专利，提高存储块可靠性
创始人
2026-05-30 07:15:13
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号CN122116968A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，一种半导体存储器装置包括：存储块，包括至少一个已编程页面和至少一个已擦除页面；以及控制电路，被配置成生成存储块的特性信息。特性信息包括与存储块的可靠性相关的信息。半导体存储器装置还包括：外围电路，被配置成基于特性信息，控制存储块的操作。在另一示例中，一种半导体存储器装置包括：存储块，包括至少一个已编程页面和至少一个已擦除页面；控制电路，被配置成生成块封闭比率（BCR），该块封闭比率（BCR）指示存储块中的至少一个已编程页面的数量与存储块中的页面的总数量的比率；以及外围电路，被配置成基于块封闭比率（BCR），控制存储块的操作。

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来源：市场资讯

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