金融界2025年5月28日消息,国家知识产权局信息显示,湖南宏恩电子有限公司申请一项名为“一种具有静电保护结构的MOS管芯片”的专利,公开号CN120048824A,申请日期为2025年02月。
专利摘要显示,本发明涉及MOS管芯片技术领域,具体涉及一种具有静电保护结构的MOS管芯片,包括封装盒以及封装在封装盒上的封装盖,封装盒的内部设置有安装槽,封装盒的四周均设置有若干引脚,封装盒的内部设置有封装芯片基板;封装芯片基板远离封装盖的一面设置有绝缘层,绝缘层远离封装芯片基板的一面设置有静电保护层,静电保护层用于引导进行静电防护。相较于现有技术,本申请通过设置有静电保护层,不仅使静电保护层具备了快速泄放静电的能力,还能在恶劣环境下提供长期稳定的使用性能,提升了静电保护的可靠性和适应性,确保芯片在各种复杂环境中的安全性。
天眼查资料显示,湖南宏恩电子有限公司,成立于2018年,位于常德市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析,湖南宏恩电子有限公司共对外投资了1家企业,财产线索方面有商标信息1条,专利信息10条,此外企业还拥有行政许可8个。
来源:金融界