盛吉盛半导体申请半导体制造用沉积设备的反应气体供给装置专利，可提高晶片表面的沉积均匀性
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2025-05-28 15:33:07
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司申请一项名为“半导体制造用沉积设备的反应气体供给装置”的专利，公开号CN120041806A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造用沉积设备的反应气体供给装置，其包括：喷头，贯通设置于腔室的引线；第一流路组件，与形成于上述喷头的上部面中央的流入口相连接，向上述喷头的中央供给反应气体；以及第二流路组件，与向上述喷头的上部面的半径方向形成于多个位置的流路孔相连接，向上述喷头的半径方向多个位置供给反应气体。因此，可向喷头的中心部及多种多个位置供给反应气体并调节，可提高晶片表面的沉积均匀性。

来源：金融界

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