苏州纳维申请化合物半导体多晶清除装置及方法等专利，显著提升刻蚀效果
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2025-05-28 21:33:33
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，苏州纳维科技有限公司申请一项名为“化合物半导体多晶清除装置、方法及其应用”的专利，公开号CN120041937A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种化合物半导体多晶清除装置、方法及其应用。该化合物半导体多晶清除装置应用于化合物半导体晶体生长设备中，化合物半导体晶体生长设备包括晶体生长反应室，晶体生长反应室中设置有衬底托，化合物半导体多晶清除装置，其包括：等离子体发生机构与分布在化合物半导体晶体生长设备的衬底托上的多个筛孔，等离子体发生机构用于产生等离子体；筛孔至少在衬底托旋转时允许等离子体通过并进入化合物半导体晶体生长反应室，以刻蚀去除沉积在晶体生长反应室内的化合物半导体多晶。利用本发明能够在对化合物半导体晶体生长设备内因寄生沉积形成的半导体多晶进行化学刻蚀和物理刻蚀，显著提升了刻蚀效果，可应用于氮化镓单晶的生长领域。
天眼查资料显示，苏州纳维科技有限公司，成立于2007年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6045.1971万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州纳维科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目58次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可30个。
来源：金融界
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