苏州纳维申请化合物半导体多晶清除装置及方法等专利，显著提升刻蚀效果
创始人
2025-05-28 21:33:33
0次
金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，苏州纳维科技有限公司申请一项名为“化合物半导体多晶清除装置、方法及其应用”的专利，公开号CN120041937A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种化合物半导体多晶清除装置、方法及其应用。该化合物半导体多晶清除装置应用于化合物半导体晶体生长设备中，化合物半导体晶体生长设备包括晶体生长反应室，晶体生长反应室中设置有衬底托，化合物半导体多晶清除装置，其包括：等离子体发生机构与分布在化合物半导体晶体生长设备的衬底托上的多个筛孔，等离子体发生机构用于产生等离子体；筛孔至少在衬底托旋转时允许等离子体通过并进入化合物半导体晶体生长反应室，以刻蚀去除沉积在晶体生长反应室内的化合物半导体多晶。利用本发明能够在对化合物半导体晶体生长设备内因寄生沉积形成的半导体多晶进行化学刻蚀和物理刻蚀，显著提升了刻蚀效果，可应用于氮化镓单晶的生长领域。
天眼查资料显示，苏州纳维科技有限公司，成立于2007年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6045.1971万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州纳维科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目58次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可30个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
联明电源取得手持焊电源能效优化...
国家知识产权局信息显示，深圳市联明电源股份有限公司取得一项名为“基于大数据的手持焊电源能效优化方法及...
格力电器申请出线护套及具有其的...
国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司;珠海凯邦电机制造有限公司申请一项名为“出线护套及具...
中国电压 380V50Hz 转...
将中国标准的 380V 50Hz 电压转换为泰国或印尼所需的 400V 60Hz 电压，需使用专业的...
吉林昱丰电气申请变电站用突升电...
国家知识产权局信息显示，吉林昱丰电气科技有限公司申请一项名为“一种变电站用突升电压稳定装置”的专利，...
大胜达5.5亿元跨界投资半导体...
3月18日涨停收盘的大胜达（603687），于当日晚间披露了拟5.5亿元取得国产GPU企业芯瞳半导体...
阿里平头哥AI芯片已交付47万...
阿里巴巴在3月19日晚的财报电话会上披露，旗下芯片设计子公司平头哥自研的AI芯片已经实现规模化交付，...
群创光电申请显示装置专利，可降...
国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“显示装置”的专利，公开号CN1216928...
3月19日清溢光电现1笔溢价1...
证券之星消息，3月19日清溢光电发生大宗交易，交易数据如下： 大宗交易成交价格33.5元，相对当日收...
中国水利电力对外有限公司申请电...
国家知识产权局信息显示，中国水利电力对外有限公司申请一项名为“一种电子公文处理方法及系统”的专利，公...
江西联创超导申请超导导体及其制...
国家知识产权局信息显示，江西联创超导技术有限公司申请一项名为“一种超导导体及其制备方法、失超定位检测...