达尔科技申请半导体结构及其制造方法专利,助力半导体制造
创始人
2025-05-15 10:52:08
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金融界2025年5月14日消息,国家知识产权局信息显示,达尔科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利,公开号CN119997559A,申请日期为2023年11月。

专利摘要显示,本申请涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括:衬底,有单元区及终端区,且有第一表面、相对于第一表面且位于终端区的第二表面及位于单元区的第三表面,第二表面与第三表面相邻且处于不同水平;第一沟槽结构,位于单元区且穿越第三表面往第一表面延伸,包括部分突出于第三表面的第一半导体材料层及第一氧化层,且往平行第三表面的第一方向延伸;第二沟槽结构,位于单元区,包括部分突出于第三表面的第二半导体材料层及第二氧化层,且往平行第一方向延伸,其中第三表面设有掺杂区于第一沟槽结构与第二沟槽结构间,且掺杂区往平行第三表面且垂直第一方向的第二方向延伸。

来源:金融界

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