达尔科技申请半导体结构及其制造方法专利，助力半导体制造
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2025-05-15 10:52:08
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金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN119997559A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底，有单元区及终端区，且有第一表面、相对于第一表面且位于终端区的第二表面及位于单元区的第三表面，第二表面与第三表面相邻且处于不同水平；第一沟槽结构，位于单元区且穿越第三表面往第一表面延伸，包括部分突出于第三表面的第一半导体材料层及第一氧化层，且往平行第三表面的第一方向延伸；第二沟槽结构，位于单元区，包括部分突出于第三表面的第二半导体材料层及第二氧化层，且往平行第一方向延伸，其中第三表面设有掺杂区于第一沟槽结构与第二沟槽结构间，且掺杂区往平行第三表面且垂直第一方向的第二方向延伸。

来源：金融界

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