灿芯半导体申请减少ESD面积的DDR主驱动电路专利，实现节省成本的目的
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2025-06-02 14:04:13
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，灿芯半导体（成都）有限公司申请一项名为“一种减少ESD面积的DDR主驱动电路”的专利，公开号CN120071987A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种减少ESD面积的DDR主驱动电路，属于电路设计技术领域；本发明包括输入信号Din，输入信号Din经电容C3的Net3接Pmos和Nmos的栅极，Pmos和Nmos的漏极连接信号输出PAD，Pmos源极经电阻R1接VDDQ电源，Pmos漏极直接PAD；电容C3的Net3接C1和C2的一端，C1的另一端接Pmos的源极Net1，C2的另一端接Nmos源极Net2；本发明通过改进mos管与电阻的串联关系，去掉串联电阻对mos管寄生二极管的隔离作用，在同时保证阻抗线性度的同时，省掉另外的二极管器件，实现节省成本的目的。

来源：金融界

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