灿芯半导体申请减少ESD面积的DDR主驱动电路专利,实现节省成本的目的
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2025-06-02 14:04:13
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金融界2025年6月2日消息,国家知识产权局信息显示,灿芯半导体(成都)有限公司申请一项名为“一种减少ESD面积的DDR主驱动电路”的专利,公开号CN120071987A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明公开了一种减少ESD面积的DDR主驱动电路,属于电路设计技术领域;本发明包括输入信号Din,输入信号Din经电容C3的Net3接Pmos和Nmos的栅极,Pmos和Nmos的漏极连接信号输出PAD,Pmos源极经电阻R1接VDDQ电源,Pmos漏极直接PAD;电容C3的Net3接C1和C2的一端,C1的另一端接Pmos的源极Net1,C2的另一端接Nmos源极Net2;本发明通过改进mos管与电阻的串联关系,去掉串联电阻对mos管寄生二极管的隔离作用,在同时保证阻抗线性度的同时,省掉另外的二极管器件,实现节省成本的目的。

来源:金融界

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