中微半导体申请气相沉积设备基片状态识别相关专利，提高基片状态识别的准确性
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2025-06-02 19:35:01
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“气相沉积设备基片状态识别方法、系统及气相沉积设备”的专利，公开号CN120070301A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种气相沉积设备基片状态识别方法、系统及气相沉积设备，在反应腔处于初始温度以及各个节点温度时拍摄托盘的图像，将各个节点温度对应的图像与初始温度对应的图像进行对比，得到各个节点温度对应的噪声数据，在对基片进行处理的过程中，在反应腔升温过程中，获取升温至任一节点温度时基片和托盘的图像，结合该节点温度对应的噪声数据进行处理后，得到去噪后的图像，去噪后的图像相比于原始图像更为清晰，因此能够提高基片状态识别的准确性。
来源：金融界
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