上海集成电路研发中心申请嵌入式存储器及其制造方法专利，能够较佳地应用于不同的制程节点，以优化制程工艺，并保证器件性能
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2025-06-02 20:34:43
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“嵌入式存储器及其制造方法”的专利，公开号CN120076336A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种嵌入式存储器及其制造方法，所述嵌入式存储器包括：半导体衬底，其内设有第一导线；绝缘结构层，覆盖第一导线，且绝缘结构层上设有凹槽；第一电极，贯穿绝缘结构层连通第一导线且部分凸出于绝缘结构层；设于绝缘结构层上横向排布的第二电极及存储材料结构层，第二电极与第一电极相对设置，存储材料结构层填充于第一电极与第二电极之间；第二导线，设于第二电极的上方，并与第二电极连通。
来源：金融界
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