联华电子申请磁性存储器元件及其制造方法专利，公开一种磁性存储器元件及其制造方法
创始人
2025-06-03 11:04:21
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“磁性存储器元件及其制造方法”的专利，公开号CN120076335A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明公开一种磁性存储器元件及其制造方法，其中该磁性存储器元件包括:基材、图案化导电层以及磁隧穿结结构。基材包括存储器区和电路区。图案化导电层包括彼此隔离的第一导电图案以及第二导电图案。第一导电图案位于存储器区，第二导电图案位于电路区。磁隧穿结结构位于第一导电图案上，并与第一导电图案电性接触。

来源：金融界

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