苏州至盛半导体等申请基于ΔΣ调制器的片上伪电阻校准电路专利，实现更广的电阻调整范围
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2025-06-03 13:34:13
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，苏州至盛半导体科技有限公司;上海交通大学申请一项名为“基于ΔΣ调制器的片上伪电阻校准电路”的专利，公开号CN120074531A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请涉及一种基于ΔΣ调制器的片上伪电阻校准电路，所述电路基于ΔΣ调制器技术实现方式简单，开关电容电阻阻值较为精确，伪电阻阻值较大的特点，实现了片上G欧姆到T欧姆量级的连续可调大电阻；基于ΔΣ调制器环路增益大，精确度高，硬件开销小的特点，将伪电阻阻值精确的校准到开关电容电阻阻值上，并对其阻值实现了放大。相比传统伪电阻，该电路实现了阻值的精确可控，提高了电阻的鲁棒性、温度特性和线性度；相比开关电容电阻，本电路实现了T欧姆量级以上的电阻值；相比于目前已有的伪电阻校准电路技术，本电路可以实现更广的电阻调整范围，更少的硬件与功耗开销。

来源：金融界

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