兴芯半导体取得将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中方法专利
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2025-06-03 15:05:49
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，浙江兴芯半导体有限公司取得一项名为“一种将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法”的专利，授权公告号CN114709233B，申请日期为2022年05月。
来源：金融界
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