上海集成电路制造创新中心申请隧穿磁阻传感电路专利，使得隧穿磁阻传感器不易受温度影响而产生测量偏差
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2025-06-03 21:34:39
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路制造创新中心有限公司申请一项名为“一种隧穿磁阻传感电路”的专利，公开号CN120085231A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种隧穿磁阻传感电路，包括：带隙基准电路提供参考电压；运算跨导放大器的两个输入端分别接入参考电压和MOS管的源极，输出端与MOS管的栅极相连，以对MOS管源极输出的偏置电流进行负反馈；MOS管的漏极接入电源电压，源极与隧穿磁阻传感器相连以对隧穿磁阻传感器提供偏置电流；改变参考电压以改变偏置电流的温度系数。通过带隙基准电路、运算跨导放大器和MOS管提供具有一定温度系数的偏置电流，对隧穿磁阻传感器的灵敏度温度系数进行补偿，使得隧穿磁阻传感器不易受温度影响而产生测量偏差，从而能较好地应用于宽工作温度范围、高精度需求的应用场景，解决了现有隧穿磁阻传感器容易受温度影响而产生测量偏差的问题。
天眼查资料显示，上海集成电路制造创新中心有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路制造创新中心有限公司参与招投标项目162次，专利信息225条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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