ASM IP 申请掺锗电荷俘获层相关专利,可形成电荷俘获层
创始人
2025-05-15 12:04:25
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金融界 2025 年 4 月 8 日消息,国家知识产权局信息显示,ASM IP 私人控股有限公司申请一项名为“掺锗电荷俘获层、相关器件、相关系统和相关

方法”的专利,公开号 CN 119767680 A,申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示,本公开的技术总体涉及半导体器件领域。更具体地,涉及包括电荷俘获层的存储元件及其制造系统和方法。用于形成存储元件的电荷俘获层的方法,包括以下步骤:将衬底提供到反应室中;执行一个或多个循环,循环包括铪前体脉冲;可选地,锆前体脉冲;氧反应物脉冲;锗掺杂剂脉冲;并且其中,作为所述一个或多个循环的结果,在所述衬底上形成包括一个或多个掺锗氧化铪(HfO2)膜和/或一个或多个掺锗铪锆氧化物(HZO)膜的电荷俘获层。

来源:金融界

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