ASM IP 申请掺锗电荷俘获层相关专利，可形成电荷俘获层
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2025-05-15 12:04:25
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金融界 2025 年 4 月 8 日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP 私人控股有限公司申请一项名为“掺锗电荷俘获层、相关器件、相关系统和相关
方法”的专利，公开号 CN 119767680 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本公开的技术总体涉及半导体器件领域。更具体地，涉及包括电荷俘获层的存储元件及其制造系统和方法。用于形成存储元件的电荷俘获层的方法，包括以下步骤：将衬底提供到反应室中；执行一个或多个循环，循环包括铪前体脉冲；可选地，锆前体脉冲；氧反应物脉冲；锗掺杂剂脉冲；并且其中，作为所述一个或多个循环的结果，在所述衬底上形成包括一个或多个掺锗氧化铪(HfO2)膜和/或一个或多个掺锗铪锆氧化物(HZO)膜的电荷俘获层。
来源：金融界
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