南京晶能半导体申请基于勾型磁场的半导体硅单晶生长方法及系统专利，快速准确的控制直径
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2025-06-04 12:34:26
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，南京晶能半导体科技有限公司申请一项名为“一种基于勾型磁场的半导体硅单晶生长方法及生长系统”的专利，公开号CN120082978A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于勾型磁场的半导体硅单晶生长方法及生长系统，所述生长方法具体包括以下步骤：步骤1、设置上线圈和下线圈初始磁场强度，确定零磁面位置；步骤2、根据实测晶体直径与目标直径的差值调整上线圈的磁场强度；步骤3、根据上线圈磁场强度的调节量，对下线圈磁场强度进行相应调节，下线圈调节量根据公式进行计算。本发明利用勾型磁场可以抑制熔体对流强度的特性，独立调控上下两个线圈的磁场强度，在拉速锁定的情况下，无需耗费大量成本且对人员经验无要求，可以快速准确的控制直径，同时维持合适的界面形状。
天眼查资料显示，南京晶能半导体科技有限公司，成立于2015年，位于南京市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，南京晶能半导体科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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